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[转贴] 线性光耦的原理与电路设计

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发表于 2011-4-23 12:29:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
1. 线形光耦介绍
6 Z, \' [# D4 Q2 R# @9 {光隔离是一种很常用的信号隔离形式。常用光耦器件及其外围电路组成。由于光耦电路简单,在数字隔离电路或数据传输电路中常常用到,如UART协议的20mA电流环。对于模拟信号,光耦因为输入输出的线形较差,并且随温度变化较大,限制了其在模拟信号隔离的应用。
5 a: J1 O  k8 ^7 d对于高频交流模拟信号,变压器隔离是最常见的选择,但对于支流信号却不适用。一些厂家提供隔离放大器作为模拟信号隔离的解决方案,如ADI的AD202,能够提供从直流到几K的频率内提供0.025%的线性度,但这种隔离器件内部先进行电压-频率转换,对产生的交流信号进行变压器隔离,然后进行频率-电压转换得到隔离效果。集成的隔离放大器内部电路复杂,体积大,成本高,不适合大规模应用。4 h7 U4 D2 X7 j0 C1 y
模拟信号隔离的一个比较好的选择是使用线形光耦。线性光耦的隔离原理与普通光耦没有差别,只是将普通光耦的单发单收模式稍加改变,增加一个用于反馈的光接受电路用于反馈。这样,虽然两个光接受电路都是非线性的,但两个光接受电路的非线性特性都是一样的,这样,就可以通过反馈通路的非线性来抵消直通通路的非线性,从而达到实现线性隔离的目的。6 H( d  ~" X4 C1 Q8 A4 K" m8 m
市场上的线性光耦有几中可选择的芯片,如Agilent公司的HCNR200/201,TI子公司TOAS的TIL300,CLARE的LOC111等。这里以HCNR200/201为例介绍! F" n2 y7 f+ Y0 ~9 ~
2. 芯片介绍与原理说明/ U0 F$ b4 {- v  f+ r6 ~: b) F
HCNR200/201的内部框图如下所示
3 ^$ M- `+ \. t7 P5 k7 e7 p+ S4 ?" L* Q8 p& I8 g
其中1、2引作为隔离信号的输入,3、4引脚用于反馈,5、6引脚用于输出。1、2引脚之间的电流记作IF,3、4引脚之间和5、6引脚之间的电流分别记作IPD1和IPD2。输入信号经过电压-电流转化,电压的变化体现在电流IF上,IPD1和IPD2基本与IF成线性关系,线性系数分别记为K1和K2,即! [* Q% D: `0 i/ O( _. ?# w

6 p. }5 X- ?# V' k. N8 k5 yK1与K2一般很小(HCNR200是0.50%),并且随温度变化较大(HCNR200的变化范围在0.25%到0.75%之间),但芯片的设计使得K1和K2相等。在后面可以看到,在合理的外围电路设计中,真正影响输出/输入比值的是二者的比值K3,线性光耦正利用这种特性才能达到满意的线性度的。
, Q, S: e1 g% v3 x3 g$ H3 \HCNR200和HCNR201的内部结构完全相同,差别在于一些指标上。相对于HCNR200,HCNR201提供更高的线性度。5 L$ R& W/ [4 W0 g& H6 A! w! D# m
采用HCNR200/201进行隔离的一些指标如下所示:$ Q  `* g' F1 _
* 线性度:HCNR200:0.25%,HCNR201:0.05%;" r5 [) c6 |" l  o+ N* l
* 线性系数K3:HCNR200:15%,HCNR201:5%;
/ y5 o% n  ^0 W% X, h! |2 m. s* 温度系数: -65ppm/oC;1 w) i; |7 f* ^4 g
* 隔离电压:1414V;
& t# M+ `9 [8 X* 信号带宽:直流到大于1MHz。8 W0 u+ e( ?& w2 m
从上面可以看出,和普通光耦一样,线性光耦真正隔离的是电流,要想真正隔离电压,需要在输出和输出处增加运算放大器等辅助电路。下面对HCNR200/201的典型电路进行分析,对电路中如何实现反馈以及电流-电压、电压-电流转换进行推导与说明。" h. x( F& n5 e8 m6 q% t! W$ L
3. 典型电路分析
8 a2 v$ G. T$ }" Z9 _6 D/ _Agilent公司的HCNR200/201的手册上给出了多种实用电路,其中较为典型的一种如下图所示:
/ F+ k( s6 ?6 s7 i# g) k, E
% ?! l) N* P- G2 g5 C设输入端电压为Vin,输出端电压为Vout,光耦保证的两个电流传递系数分别为K1、K2,显然,,和之间的关系取决于和之间的关系。
9 {  X( o/ Z* Z- m5 Y" I+ Y% o: y将前级运放的电路提出来看,如下图所示:, p- n# A! Z5 @2 x

3 {( ~0 i2 a, c; Q& M" L' P: {+ K- v设运放负端的电压为,运放输出端的电压为,在运放不饱和的情况下二者满足下面的关系:3 a. f' ^4 L6 \5 \) t/ f% h& r
Vo=Voo-GVi  (1)
8 d% t* u8 K7 P1 R其中是在运放输入差模为0时的输出电压,G为运放的增益,一般比较大。" L( r# h. N: d, y3 J& `# \7 o
忽略运放负端的输入电流,可以认为通过R1的电流为IP1,根据R1的欧姆定律得:3 f5 b" ]9 j$ n" B3 W

# K# x( a  _4 B: t  T通过R3两端的电流为IF,根据欧姆定律得:
, {6 E/ J: f8 C& B4 T$ a4 U/ t3 \7 x4 M3 ?$ e
其中,为光耦2脚的电压,考虑到LED导通时的电压()基本不变,这里的作为常数对待。  K- [) R/ v6 O& }! l
根据光耦的特性,即
3 M" ]/ }+ ~: U7 J5 R6 K6 [; G( v: ?K1=IP1/IF  (4)- t9 D, a* N, A1 D; D, I- @9 G4 z
将和的表达式代入上式,可得:; z2 O8 v; ^- F& y1 `
' y0 d2 Y- k' a/ w) S
上式经变形可得到:* Z7 ^+ V/ L. L. M
" Z) t  [' V$ v6 ~* g9 r2 K
将的表达式代入(3)式可得:
; T  F2 ]- Z, W; K
; ]# Q/ |* z- X" R9 a* I考虑到G特别大,则可以做以下近似:
# d" m2 x$ ]* b, [) f( g6 p- P/ Z  J0 O1 q
这样,输出与输入电压的关系如下:+ T% p* V: B6 I) Q$ I. l
% }1 f. C+ c2 {/ f7 U- w# o
可见,在上述电路中,输出和输入成正比,并且比例系数只由K3和R1、R2确定。一般选R1=R2,达到只隔离不放大的目的。* G' X/ F9 x! t; V  G
4. 辅助电路与参数确定' F" Q- Y( k& A5 J
上面的推导都是假定所有电路都是工作在线性范围内的,要想做到这一点需要对运放进行合理选型,并且确定电阻的阻值。
6 j, ]" O1 v: b4.1 运放选型7 v( N8 I7 D$ r9 o  b/ K
运放可以是单电源供电或正负电源供电,上面给出的是单电源供电的例子。为了能使输入范围能够从0到VCC,需要运放能够满摆幅工作,另外,运放的工作速度、压摆率不会影响整个电路的性能。TI公司的LMV321单运放电路能够满足以上要求,可以作为HCNR200/201的外围电路。
3 o, ?" p& `- @5 g% n" T$ k4.2 阻值确定1 l7 _: x1 P4 v! G. T
电阻的选型需要考虑运放的线性范围和线性光耦的最大工作电流IFmax。K1已知的情况下,IFmax又确定了IPD1的最大值IPD1max,这样,由于Vo的范围最小可以为0,这样,由于
4 p* a, v* O" V% c" m8 S, ^考虑到IFmax大有利于能量的传输,这样,一般取
0 _4 g  M5 d/ Z$ l另外,由于工作在深度负反馈状态的运放满足虚短特性,因此,考虑IPD1的限制,! Q- @. R7 s7 }$ d2 _
这样,! r/ p* C2 b9 S4 H' b# o
R2的确定可以根据所需要的放大倍数确定,例如如果不需要方法,只需将R2=R1即可。% E0 ~: [! k: s$ V% s6 |$ A5 D: I
另外由于光耦会产生一些高频的噪声,通常在R2处并联电容,构成低通滤波器,具体电容的值由输入频率以及噪声频率确定。8 E6 m) I9 J6 }7 h5 Z
4.3 参数确定实例
! z2 p, {! ^5 B5 g% p& F1 @( }1 a; S假设确定Vcc=5V,输入在0-4V之间,输出等于输入,采用LMV321运放芯片以及上面电路,下面给出参数确定的过程。
. W4 ]5 b% _6 n2 [* 确定IFmax:HCNR200/201的手册上推荐器件工作的25mA左右;
) L; M* f( k8 `1 L5 O" J* 确定R3:R3=5V/25mA=200;" {, \0 A8 W8 S8 q4 N6 t
* 确定R1:;5 X4 e5 C/ z5 L0 o% W
* 确定R2:R2=R1=32K。
0 z" X# V0 Q5 q7 x5. 总结: p! u7 p, i4 O! d6 n
本文给出了线性光耦的简单介绍以及电路设计、参数选择等使用中的注意事项与参考设计,并对电路的设计方法给出相应的推导与解释,供广大电子工程师参考。

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