找回密码
 注册
查看: 931|回复: 0

[转贴] JB/T 8946—1999 真空离子镀膜设备

[复制链接]
发表于 2011-3-14 14:08:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
JB/T 8946—1999 真空离子镀膜设备2 [. {8 ^, @- V* a% f3 D; P6 w4 b. ~
Vacuum ion coating plant
$ A. q" r: Q4 I' ?6 u4 k( c7 F1、范围+ y6 {" A3 h' U
JB/T 8946—1999 真空离子镀膜设备标准规定了真空离子镀膜设备的技术要求,试验方法,检验规则,标志、包装、运输和贮存等。
2 @- F$ x; a' D; f0 z+ q& e' i本标准适用于压力在10-4~10-3Pa范围的真空离子镀膜设备(以下简称设备),具体包括如下类型:多弧离子镀、电弧放电型真空离子镀、空心阴极离子镀(HCD)、射频离子镀(RFIP)、直流放电二极型(DCIP)、多阴极型、活性反应蒸发镀(ARE)、增强型ARE、低压等离子体离子镀(LFPD)、电场蒸发离子镀、感应加热离子镀、簇团离子束镀等。
  m! [6 m2 X+ m4 `$ E$ i3 x) _2 o注:离子镀是在真空条件下,利用气体放电使气体或被蒸发物质部分离化,在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时,把蒸发物或其反应物沉积在基片上。2 C4 M8 L! Y- A8 E
2、引用标准) ^/ C4 U! a# o2 V) x5 x
下列标准所包含的条文,通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时,所示版本均为有效。所有标准都会被修订,使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。- r6 j; D' B! C! @. r$ w
GB/T 6070—1995 真空法兰5 M) P( _8 V$ C# M7 A; o; X& y5 ^
GB/T 11164—1999 真空镀膜设备 通用技术条件
% U6 {8 f. w' v0 {3、技术要求- O6 \0 a& O0 v5 G/ Z3 T
3.1设备正常工作条件
5 f& t2 A# \2 r3.1.1 环境温度:10℃~30℃。
7 Y- U2 u9 B# P5 v, x3.1.2 相对湿度:不大于75%。' p0 Y  J( O; P2 E8 I! G  {8 ?
3.1.3 冷却水进水温度:不高于25℃。
8 K8 ?$ J( Q# [0 W5 a3.1.4 冷却水质:城市自来水或相当质量的水。
8 h- h) X' x; a+ g( Z7 R! J' l- L. F3.1.5 供电电源:380 V三相50 Hz 或220 V单相50 Hz(由所用电器需要而定);7 N9 y8 g1 P' ]+ A) |; j) ^5 S
电压波动范围:342 ~ 399 V或198 ~231 V;
( v- J. ~. M% n: @& T1 u) H频率波动范围:49~51 Hz。5 j# M# T8 _" ?
3.1.6 设备所需的压缩空气,液氮,冷水、热水等的压力、温度,消耗量等,均应在产品使用说明书中写明。
  q" H! v+ I; M7 v7 ~% Z/ f3.1.7 设备周围环境整洁,空气清洁,不应有引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘埃或气体存在。
+ a+ N" X/ m1 ^, w3 }3.2 设备技术参数8 @1 b  q, ^2 u! ]' Q* U" L9 r7 [
3.2.1 设备的主要技术参数应符合表1规定。: {/ ?! h; V' x7 X) s' F1 b( l

' r2 e; q: b  c7 S8 o更多详细信息请查看PDF:JB/T 8946—1999 真空离子镀膜设备
2 ]/ v! u1 T% K* K( T更多真空技术标准请查看:真空技术标准汇编. M5 `1 U# n. A/ T: J3 _
  
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

Archiver|手机版|小黑屋|光学薄膜论坛

GMT, 2026-3-7 , Processed in 0.019466 second(s), 24 queries .

Powered by Discuz! X3.5 Licensed

© 2001-2026 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表