|
|
氮化硅薄膜及制备方法概述 $ D# `# ?: M, f; {: j
1 r9 z& P5 C! k, l0 K! y& {$ N' k
0 Z1 z; S& G6 f: W6 C) T
; r4 q" q. L5 g) v8 X: d( u
氮化硅薄膜是一种重要的精细陶瓷薄膜，具有优良的光学性能、绝缘耐压性能、机械性能以及钝化性能等，它不仅在光电子、微电子等大规模集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用，而且在材料表面改性领域也有着广泛的应用前景。氮化硅薄膜具有很高的硬度 ，硬度可达3240HV0. 01，氮化硅薄膜还具有好的耐磨性和抗划伤能力。氮化硅薄膜的摩擦系数很小，随着摩擦的不断进行,摩擦面越来越光洁，阻力越来越小,形成自润滑效应，膜与膜之间的摩擦系数仅为0.05 。( I" a/ K3 S- n2 i! R
氮化硅薄膜的制备方法有多种，其中最常用的化学气相沉积(CVD) 法,等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 法 ，离子束沉积和反应溅射等物理气相沉积法等。溅射技术制备氮化硅薄膜时,工作气压和薄膜的含氮量会对薄膜的磨损性能产生影响 。改变氮气分压影响氮化硅薄膜成分及性能。非平衡磁控溅射是物理气相沉积法的一种，非平衡磁控溅射技术拓宽了等离子体区域,提高了沉积基片附近的等离子体密度,利用离子轰击对基体和生长薄膜的作用,可以制备致密度高、膜/ 基结合力较好的高质量薄膜。本文采用非平衡磁控溅射技术，在不同氮气分压下制备了不同结构的氮化硅薄膜,研究了氮气分压对氮化硅薄膜结构与性能的影响。 |
|
窥视卡
雷达卡
发表于 2010-4-5 23:18:17
提升卡
置顶卡
沉默卡
喧嚣卡
变色卡
抢沙发
显身卡
