NaF薄膜的脉冲激光沉积法制备与结构研究( K; l: g, t, j
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【英文篇名】 Microstructure and fabrication of NaF film by pulsed laser deposition ( {3 v- E, n2 i+ S p1 T: |$ o
【作者中文名】 詹勇军; 吴卫东; 王锋; 白黎; 唐永建; 谌家军; ! Q+ u, ]1 p7 s- U) P: _2 Z
【作者英文名】 ZHAN Yong-jun1; 2; WU Wei-dong1; 3; WANG Feng1; BAI Li1; TANG Yong-jian1; CHEN Jia-jun2(1.Research Center of Laser Fusion; CAEP; P.O.Box 919-987; Mianyang 621900; China; 2.Department of Physics and Electronic Information; China West Normal University; Nanchong 637002; 3.Institute of Atomic and Molecular Physics; Sichuan University; Chengdu 610065; China); 7 |4 a5 R1 x4 p: o
【作者单位】 中国工程物理研究院激光聚变研究中心; 西华师范大学物理与电子信息学院 四川绵阳; 西华师范大学物理与电子信息学院; 四川南充; 四川绵阳; 四川大学原子与分子物理研究所;
$ g$ N- G$ s" e4 ^【文献出处】 强激光与粒子束, High Power Laser and Particle Beams, 编辑部邮箱 2007年 04期
* S+ w/ R0 v$ s' W, z6 m期刊荣誉:中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊 1 c4 m" [4 z- K+ z
【关键词】 脉冲激光沉积(PLD); NaF薄膜; ICF靶; 面心立方结构; 反应激活能;
! R0 D+ w7 O, q, T/ W& M【英文关键词】 Pulsed Laser Deposition(PLD); Sodium fluoride(NaF) films; ICF target; Face-centered cubic; Activation energy; ' c6 a0 L' [* @, X
【摘要】 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了NaF薄膜。在激光重复频率2 Hz,能量密度3 J/cm2,本底真空度5×10-5Pa的条件下,研究衬底温度对薄膜沉积速率及结构的影响。台阶仪分析表明:薄膜的沉积速率随衬底温度增加呈指数函数增加,算出NaF薄膜的反应激活能为48.67 kJ/mol。原子力显微镜分析表明:薄膜致密而光滑,均方根粗糙度为0.553 nm。扫描电镜截面微观形貌分析表明:薄膜呈现柱状结构。X射线衍射分析表明:NaF薄膜为面心立方晶体结构,并具有显著的择优取向;当衬底温度约为400℃时,平均晶粒尺寸最大(129.6 nm),晶格微应变最小(0.225%)。 : q" i8 \( K; u5 V8 J
【英文摘要】 NaF films with preferred orientation have been successfully deposited on Si(100) substrate by pulsed laser deposition.The testing of surface profiler indicates that the deposition rate of the film increases exponentially with the increase of the substrate temperature.At the same time,the activation energy of atom is caculated which is 48.67 kJ/mol.Atom force microscope photographes of these films show the mean square root of the film is only 0.553 nm.Scaning electron microscopy cross-section morphology anal...
5 }$ L F! o3 \- J【基金】 国家863计划项目资助课题
7 s5 A3 x$ p C5 z5 A: l【DOI】 CNKI:ISSN:1001-4322.0.2007-04-023 |