子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究

xx_912 · 发表于 2007-2-5 23:43:50

电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究
摘　要:研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅（a-Si）光学薄膜的折射率和消光系数的影响。结果表明，在300～1100nm的波长范围内，真空室真空度、基片温度和沉积速率越高，则所得a-Si薄膜折射率越高，消光系数越大。并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a—Si膜镀制，发现在选择初始真空为1E-6×133 Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0．2nm／s时所得高反镜的光学特性比较好，在808nm处折射率和消光系数分别为3．1和1E-3。[著者文摘]

关键词:非晶硅（a—Si）光谱椭偏仪折射率消光系数半导体激光器

分类号:　O484.1 O484.4[著者标引]文献标识码：A文章编号：1005-0086（2006）08-0905-04相关文献:主题相关

pluto · 发表于 2007-3-5 16:22:46

好東西,謝謝分享!

gb5808 · 发表于 2007-3-6 16:34:29

多谢。正在学习。

0243001243 · 发表于 2007-9-5 03:56:41

看看先了,多谢楼主的辛苦

英雄镀膜 · 发表于 2009-12-28 18:01:11

好東西,謝謝分享!

longer · 发表于 2010-7-10 21:39:00

拿来看看啊
呵呵

gandongdi · 发表于 2010-7-10 22:40:04

好东西。谢谢分享。

60726 · 发表于 2010-7-12 10:29:15

看了知道一原理谢谢

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[原创] 子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究

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