yupo54 发表于 2009-8-5 23:54:09

讨论磁控溅射衬底温度与入射粒子能量对薄膜的影响

众所周知，提高衬底温度可以促进衬底表面原子的扩散能力，而提高入射粒子能量（增加功率，降低气压，缩短靶距）也可以提高原子扩散能力。问：提高衬底温度和提高入射粒子能量他们之间对扩散能力的影响有什么异同点？各自对薄膜性能有什么影响？

fanyushan 发表于 2009-8-6 01:26:05

1.
提高离子能量，可以增加提高离子的迁移，膜层的结合力和致密性，但对表面平整度有负面影响，会降低沉积率。光学膜时，过高的能量会对阈值有影响。
为了提高能量而改变气压，靶基距一定要小心。蒸发，磁控，多弧对气压和靶基距很敏感。

2.
温度提高会提高迁移率，会增加结合力，但往往要考虑基材的耐温性能，而且，过高的温度在做硬质膜时，会减低膜层硬度。

doctor 发表于 2009-8-6 11:04:39

必须经过实验后才能得到一手资料!

yupo54 发表于 2009-8-6 23:33:20

我做的是半导体薄膜，发现要是入射粒子能量不够掺杂不好，温度解决不了这一问题。在做金属膜时候，气压太低，附着力不好，气压高电阻率有过大，比较麻烦

doctor 发表于 2009-8-7 11:29:57

比较麻烦啊

yupo54 发表于 2009-8-7 23:40:40

看来还得细心研究才是
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