论坛 › 薄膜工艺 › LPCVD制备氮化硅薄膜工艺

gds 发表于 2008-12-26 03:17:26

LPCVD制备氮化硅薄膜工艺

LPCVD制备氮化硅薄膜工艺
简崇玺中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042摘　要:氮化硅（摘要）薄膜具有许多优良特性，在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛。本文简要介绍了利用CVD方法制备摘要薄膜以及Si3N4薄膜的特性，详细介绍了低压化学气相淀积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）LPCVD制备氮化硅的工艺。工艺制备中通过工艺参数的调整使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求。[著者文摘]

关键词:氮化硅薄膜 低压化学气相淀积 温度
分类号:　TN304.24 TB43[机标]文献标识码：文章编号：栏目信息：工艺与测试
相关文献:主题相关 全文快照　　　

ahei777 发表于 2009-3-12 17:45:48

这里有没有人知道FCVA工艺的?

ahei777 发表于 2009-3-12 17:46:45

PVD OR CVD都是比较常见的工艺..

shuijing85 发表于 2009-3-24 14:56:14

我没钱下了晕司

shuijing85 发表于 2009-3-24 14:56:36

在顶下就够了

liubaba888 发表于 2009-5-4 02:40:08

顶下 氮化硅薄膜

60m 发表于 2009-5-5 17:00:01

还真不错！下载了！谢谢！

wdh5423 发表于 2009-5-29 14:49:15

LPCVD是什么的简写啊？不知道看来要学习了

lhlhlh 发表于 2009-8-13 05:05:58

看来要学习了

飞鸿2009 发表于 2009-11-8 18:05:42

支持楼主！！！！！！！

查看完整版本: LPCVD制备氮化硅薄膜工艺