镀膜材料
有人知道TiO2,Si3N4,NiCr,Ag,ZnSn等材料的性质吗？谢谢！ 名稱：二氧化鈦（TiO2）
TiO2由於它的高折射率和相對堅固性，人們喜歡把這種高折射率材料用於可見光和近紅外線區域，但是它本身又難以得到一個穩定的結果。TiO2，Ti3O5，Ti2O3，TiO及Ti，這些原材料氧—鈦原子的模擬比率分別為：2•0，1•67，1•5，1•0，0，後發現比率為1•67的材料比較穩定並且大約在550nm生成一個重復性折射率為2•21的堅固的膜層，比率為2材料的第一層産生一個大約2•06的折射率，後面的膜層折射率接近2•21。比率為 1•0的材料需要7個膜層將折射率2•38降到2•21。這幾種膜料都無吸收性幾乎每一個TiO2蒸著都遵循一個原則是：在可使用的光譜區內取得可以忽略的吸收性，這樣可以降低氧氣壓力的限制以及溫度和蒸著速度的限制。TiO2需要使用IAD助鍍，氧氣輸入口在擋板下面。
Ti3O5比其它類型的氧化物貴一些，可是有很多人認為這種材料不穩定性的風險小一些。Pulker等人指出，最後的折射率與無吸收性是隨著氧氣壓力和蒸著溫度而改變的，基板溫度高則得到高的折射率，例如，基板溫度為400℃時在500nm波長得到的折射為 2•63，可是由於別的原因，高溫蒸著通常是不受歡迎的，而離子助鍍已成為一個普遍採用的方法其在低溫甚至在室溫時就可以得到比較高的折射率，通常需要提供足夠的氧氣以避免（因為有吸收則降低透過率），但是可能也需要降低吸收而增大鐳射損壞臨界值（LDT）。TiO2的折射率與真空度和蒸發速度有很大的關係，但是經過充分預熔和IAD助鍍可以解決這一難題，所以在可見光和近紅外線光譜區中，TiO2很受人們的歡迎。
在IAD助鍍TiO2時，使用屏蔽柵式離子源蒸發則需要200Ev，而用無屏蔽柵式離子源蒸發時則需要333eV或者更少一些，在那裏平均能量估計大約是驅動電壓的60%，如果離子能量超過以上數值，TiO2將有吸收。而SIO2有電子槍蒸發可以提供600eV碰撞（離子輻射）能量而沒有什麽不良效應。
TIO2/SIO2制程中都使用300eV的驅動電壓，目的是在兩種材料中都使用無柵極離子源，這樣避免每一層都改變驅動電壓，驅動電壓高低的選擇取決於TIO2所允許的範圍，而蒸著速度的高低取決於完全致密且無吸收膜所允許之範圍。
TIO2用於防反射膜，分光膜，冷光膜，濾光片，高反膜，眼鏡膜，熱反射鏡等。黑色顆粒狀和白色片狀。熔點：1775℃
透光範圍（nm） N （500nm） 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 排放雜氣量
400-12000 2•4 2000-2200 電子槍 增透多層膜 多
TIO用於防反膜，裝飾膜，濾光片，高反膜，
TI2O3用於防反膜，濾光片，高反膜，眼鏡膜。 名稱：銀（Ag）
如果蒸著速度足夠快並且基板溫度不很高時，銀和鋁一樣具有良好的反射性，這是在高速低溫下大量集結的結果，這一集結同時導致更大的吸收性。銀（Ag）通常不浸濕鎢絲，但是往往形成具有高表面張力的液滴，它可以用一高緊密性的螺旋式鎢絲來蒸發，從而避免液滴下掉。有人先在一個V型的鎢絲上繞幾圈鉑絲接著繞上銀絲，銀絲可以浸濕鉑絲但沒有浸濕鎢絲 Si3N4, NiCr ZnSn等合成材料可参考单材质材料
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